고체물리학: 에너지 밴드 갭 이론
주기적 퍼텐셜과 블로흐 정리(Bloch's Theorem)
고립된 단일 원자에서는 전자의 에너지 준위가 불연속적인 선( 등)으로 존재하지만, 아보가드로 수(개)만큼 많은 원자들이 격자 상수 의 간격으로 모여 결정(Crystal)을 이루면 파울리 배타 원리와 오비탈 중첩에 의해 에너지 준위가 촘촘히 갈라져 연속적인 에너지 띠(Energy Band)를 형성합니다.
결정 내부의 이온핵들이 만드는 주기적 퍼텐셜 하에서 시간 독립 슈뢰딩거 방정식의 고유해는 블로흐 정리(Bloch's Theorem)에 의해 평면파()와 격자와 동일한 주기를 갖는 함수 의 곱으로 표현됩니다:
여기서 결정 운동량(Crystal momentum) 를 결정하는 파수 는 주기성 때문에 제1 브릴루앙 영역(First Brillouin Zone, ) 내부로 완전히 환원하여 기술할 수 있습니다.
브릴루앙 영역 경계의 밴드 갭 형성과 유효 질량(Effective Mass)
자유 전자 모형()과 달리, 파수 가 브릴루앙 영역의 경계인 에 도달하면 드브로이 파장()이 브래그 반사 조건(Bragg reflection)을 만족하여 오른쪽 진행파와 왼쪽 반사파가 중첩된 두 종류의 정상파(Standing wave)를 형성합니다:
이 두 정상파의 정전기적 퍼텐셜 에너지 차이()만큼 전자가 결코 존재할 수 없는 금지된 에너지 간격인 밴드 갭(Band Gap, )이 열리게 됩니다. 또한 밴드 내 전자가 외부 전기장으로부터 힘을 받을 때 결정 격자와의 상호작용은 밴드 곡률()로 결정되는 유효 질량() 하나로 완벽히 흡수됩니다:
| 물질 분류 | 밴드 갭 () 크기 | 페르미 준위 () 및 전자 채움 상태 | 대표 물질 및 전기적 특징 |
|---|---|---|---|
| 도체 (Metal) | (띠 겹침 또는 반만 채워짐) | 가 허용 밴드 내부에 위치 | / 온도 상승 시 격자 진동(포논) 산란으로 저항 증가 |
| 반도체 (Semiconductor) | (작은 띠간격) | 에서 가전자대 완충, 전도대 비어 있음 (는 밴드 갭 중앙) | / 온도 상승 시 저항 급감 |
| 절연체 (Insulator) | (매우 큰 띠간격) | 열에너지로 전자가 전도대로 전이 불가능 | 다이아몬드(), 석영() / 부도체 |
1) 먼저 에너지 E(k)를 파수 k에 대해 두 번 미분합니다:
dE/dk = 2Aa sin(ka), d²E/dk² = 2Aa² cos(ka) 입니다.
2) 밴드 바닥(k = 0)에서는 cos(0) = +1 이므로 d²E/dk² = 2Aa² > 0 입니다.
따라서 유효 질량은 m*(k=0) = ℏ² / (2Aa²) > 0 (양의 유효 질량)이 됩니다.
3) 밴드 꼭대기(k = π/a)에서는 cos(π) = -1 이므로 d²E/dk² = -2Aa² < 0 입니다.
따라서 유효 질량은 m*(k=π/a) = -ℏ² / (2Aa²) < 0 으로 '음(-)의 유효 질량'을 갖습니다! 거의 꽉 찬 가전자대 꼭대기의 음의 유효 질량을 가진 전자가 비어 있는 상태를 '+전하와 양(+)의 유효 질량을 가진 준입자'로 치환한 것이 바로 '정공(Hole)'입니다.
직접/간접 천이 반도체와 도핑(n형·p형), 자주 틀리는 오개념
자주 틀리는 오개념 정리:
핵심 요약
- ✓결정 격자의 주기적 퍼텐셜 속에서 전자의 파동함수는 블로흐 정리 ψ_k(x) = e^(ikx) u_k(x) 를 따르며, 브릴루앙 영역 경계(k = ±nπ/a)에서 브래그 반사에 의해 밴드 갭(E_g)이 형성된다.
- ✓밴드 내 전자의 유효 질량 m* = ℏ² / (d²E/dk²) 은 에너지 밴드의 곡률에 반비례하며, 가전자대 꼭대기에서는 음의 값을 가져 정공(Hole)으로 기술된다.
- ✓도체는 밴드가 부분적으로 채워져 있거나 겹쳐 있고, 반도체는 작은 밴드 갭(~1 eV)을 가지며, 절연체는 매우 큰 밴드 갭(>4 eV)을 가진다.
- ✓14족 Si에 15족(P, As)을 도핑하면 전자가 다수 캐리어인 n형 반도체가 되고, 13족(B, Ga)을 도핑하면 정공이 다수 캐리어인 p형 반도체가 된다.